SUN Jian LIN Dongliang Shanghai Jiaotong University
,
Shanghai
,
China LIN Dongliang
,
professor
,
Department of Materials Science
,
Shanghai Jiaotong University
,
Shanghai 200030
,
China
金属学报(英文版)
Equilibrium equation of point defects in Ll_2 type intermetallic compounds was established to calculate the relations of the concentration of antisite defects and vacancies and bulk composi- tion in Ni_3Al.The examination of temperature effects on the point defects cleared up the mis. understanding of the properties of the“constitutional point defects”in Ni_3Al.
关键词:
intermetallic compound
,
null
,
null
,
null
侯华欣
,
卢艳丽
,
陈铮
稀有金属材料与工程
基于马儿可夫链理论和Bragg-Williams型方程,建立了描述反位缺陷占位几率的基本方程和转移几率;推导出了平衡时空位与反位缺陷浓度的表达式.利用所建模型结合第一性原理平面波赝势法系统研究了NiAl中各种点缺陷,从定量计算和电子结构角度论证了平衡状态下,在Ni:Al=1附近,Ni和Al原子的占位服从Fermi-Dirac统计,并且当温度从800增加到1300 K时,NiAl几率比AlNi几率大106～109倍,反位缺陷以NiAl为主.VNi浓度比AlNi浓度大105～107倍、而NiAl浓度比VAl浓度大106～1010倍.对于同一原子而言,NiAl比VNi稳定,AlNi比VAl稳定.
关键词:
B2-NiAl
,
马儿可夫链
,
第一性原理
,
反位缺陷
,
转移几率
宋久旭
,
杨银堂
,
王平
,
郭立新
人工晶体学报
基于第一性原理计算,对含有SiC反位缺陷或CSi反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究.SiC缺陷在纳米管的表面形成了凸起,CSi缺陷在纳米管的表面形成了凹陷；这两种缺陷都导致在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级,使得纳米管表现出n型电导；导带顶到杂质能级间的跃迁使得纳米管的光学带隙呈现了减小的趋势.这些结果对碳化硅纳米管电子器件和光学器件的研究都有较重要的参考价值.
关键词:
碳化硅纳米管
,
反位缺陷
,
电子结构
,
光学性质
张静
,
陈铮
,
杨坤
,
卢艳丽
,
王永欣
材料热处理学报
用包含弹性应变能的微观相场法研究L12-Ni3Al相和D022-Ni3V相在1000 K,1200 K单温度时效及1000 K和1200 K交变温度下时效的原子占位.研究表明:从1000 K单温度时效经由交变温度时效至1200 K单温度时效过程中,L12相中的正位原子NiNi和AlAl及D022相中的正位原子NiNi和VV的占位几率随时间延长而下降,两种结构中的反位缺陷NiAl,NiV,VNi和AlNi及替代缺陷AlNi,AlV和VNi的占位几率却随时间延长而上升.平衡时的L12相中的NiNi占位几率大于D022相中的NiNi,L12相中的AlAl占位几率小于D022相中的VV,反位缺陷和替代原子在L12相中的占位几率均大于D022相.在交变时效下,原子占位几率的时间演化曲线呈"长城"状,曲线顶点的占位几率值小于相应的单温度时效下的平衡值,但是曲线谷值大于相应的单温度时效下的平衡值.
关键词:
原子占位几率
,
反位缺陷
,
替代缺陷
,
微观相场
高玉
,
常虹
,
武强
,
王宏艳
,
庞艳波
,
刘芳
,
朱宏静
,
云月厚
中国有色金属学报(英文版)
doi:10.1016/S1003-6326(17)60099-2
通过对化合物Ni1-xCoxCr2O4的紫外吸收光谱,红外吸收光谱和拉曼光谱分析,说明Co离子中绝大多数占据了四面体(A)位置,少部分占据了八面体(B)位置.Co离子占位紊乱是由于八面体中Co离子的半径(r=0.65?)接近于八面体中Cr离子的半径(r=0.62?)引起的.随着Co含量的增加,在510 cm?1附近出现的红外吸收峰向高频方向移动,这是由于Co离子替代四面体中Ni离子使八面体中阳离子与氧之间的距离减小,导致键能增强引起的.磁性测量展示了x=0.2和0.8的居里温度(TC)分别为75 K和90 K.
关键词:
尖晶石
,
反位缺陷
,
电子跃迁
,
光学性能
,
磁学性能
张建军
,
张东博
,
薛志勇
,
张静
,
陈铮
稀有金属
应用微观相场法,计算Al-9.0at％Li合金沉淀相中的反位缺陷AlLi和LiAl随时效温度及时间变化的规律.结果表明,在相同的时效温度下,L12结构的Al3Li相中反位缺陷AlLi和LiAl随时效时间的增加逐渐减小,且在富Al环境下AlLi反位缺陷的浓度高于LiAl,在Al3Li相中以AlLi为主,同时存在少量的LiAl.当时效温度发生变化时,时效温度越高,在Al3Li相稳定形核后LiAl、AILi反位缺陷的浓度越高.在达到平衡浓度前也具有这个特点,但是规律性并不显著.
关键词:
Al-Li合金
,
反位缺陷
,
时效温度
